KDZTR9.1B

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KDZTR9.1B概述

KDZTR9.1B 稳压二极管 9.1V 1W PMDU/SOD123/1206-9.1V marking/标记 SB 电压调节/高耐ESD

额定齐纳电压VzVZener Voltage 最小min.| 9.1V \---|--- 平均Typ.| 9.747V 最大max.| 10.2V 误差Tolerance| 最大齐纳阻抗ZzΩDynamic Impedance| 最大反向漏电流IRuAReverse Current | 20uA 最大耗散功率PdPower dissipation| 1W Description & Applications| Zener diode Voltage regulation High ESD tolerance 描述与应用| 齐纳 电压调节 高耐ESD


得捷:
DIODE ZENER 9.8V 1W PMDU


欧时:
ROHM KDZTR9.1B 单路 齐纳二极管, 9.75V 6% 1 W, 2引脚 SOD-123封装


安富利:
Diode Zener Single 9.747V 6% 1W 2-Pin PMDU T/R


Chip1Stop:
Diode Zener Single 9.747V 6% 1W 2-Pin PMDU T/R


Win Source:
DIODE ZENER 9.8V 1W PMDU


KDZTR9.1B中文资料参数规格
技术参数

容差 ±6 %

耗散功率 1000 mW

测试电流 40 mA

稳压值 9.747 V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SOD-123F

外形尺寸

长度 2.6 mm

宽度 1.6 mm

高度 0.8 mm

封装 SOD-123F

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

温度系数 5.9 mV/℃

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买KDZTR9.1B
型号: KDZTR9.1B
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:KDZTR9.1B 稳压二极管 9.1V 1W PMDU/SOD123/1206-9.1V marking/标记 SB 电压调节/高耐ESD
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