KTR18EZPJ434

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KTR18EZPJ434概述

1206 430kΩ ±5% 0.25W1/4W ±200ppm/℃

±5% 0.25W,1/4W 芯片 1206(3216 公制) 汽车级 AEC-Q200,高压 厚膜


立创商城:
430kΩ ±5% 250mW


得捷:
RES SMD 430K OHM 5% 1/4W 1206


KTR18EZPJ434中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.25 W

产品系列 KTR

电阻 430 KΩ

阻值偏差 ±5 %

封装参数

封装公制 3216

封装 1206

外形尺寸

长度 3.2 mm

宽度 1.6 mm

封装公制 3216

封装 1206

物理参数

温度系数 ±200 ppm/℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买KTR18EZPJ434
型号: KTR18EZPJ434
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:1206 430kΩ ±5% 0.25W1/4W ±200ppm/℃

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