KTR25JZPJ562参数规格_中文资料_数据手册PDF

KTR25JZPJ562概述

1210 5.6kΩ ±5% 0.33W ±200ppm/℃

5.6 kOhms ±5% 0.333W，1/3W 芯片 1210（3225 公制）汽车级 AEC-Q200，高压厚膜

得捷:
RES SMD 5.6K OHM 5% 1/3W 1210

安富利:
RES HIGH VOLTAGE 1210 5.6K OHM 1/3W 5% SMD

立创商城:
KTR25JZPJ562

KTR25JZPJ562中文资料参数规格

技术参数

容差 ±5 %

额定功率 0.333 W

产品系列 KTR

电阻 5.6 kΩ

阻值偏差 ±5 %

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 3225

封装 1210

外形尺寸

长度 3.2 mm

宽度 2.5 mm

封装公制 3225

封装 1210

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 155℃

温度系数 ±200 ppm/℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买KTR25JZPJ562

型号： KTR25JZPJ562

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：1210 5.6kΩ ±5% 0.33W ±200ppm/℃