KP-2012SF4C

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KP-2012SF4C概述

Kingbright 2012 芯片 LED IR LEDKingbright 的 2012 系列是红外线发光二极管,采用芯片 LED 封装。 它们具有表面安装 SMD 封装,带有标准 2012 0805 印迹。 2012 IR LED 的特点: 0805 印迹 芯片 LED SMD 封装 尺寸:2 x 1.25 x 1.1 mm 120° 视角 ### 红外线 IR 发射器,Kingbright

2012 芯片 IR LED

Kingbright 的 2012 系列是红外线发光二极管,采用芯片 LED 封装。 它们具有表面安装 SMD 封装,带有标准 2012 0805 印迹。

2012 IR LED 的特点:

0805 印迹

芯片 LED SMD 封装

尺寸:2 x 1.25 x 1.1 mm

120° 视角

### 红外线 IR 发射器,Kingbright


欧时:
### Kingbright 2012 芯片 LED IR LEDKingbright 的 2012 系列是红外线发光二极管,采用芯片 LED 封装。 它们具有表面安装 SMD 封装,带有标准 2012 0805 印迹。 2012 IR LED 的特点: 0805 印迹 芯片 LED SMD 封装 尺寸:2 x 1.25 x 1.1 mm 120° 视角 ### 红外线 IR 发射器,Kingbright


立创商城:
KP-2012SF4C


e络盟:
红外发射器, 880 nm, 120 °, 0805, 1.5 mW/Sr


艾睿:
Infrared Emitter 1.5mW/sr Rectangular Top Mount 2-Pin SMD T/R


TME:
IR transmitter; 880nm; transparent; 0.8÷1.5mW; 120°; SMD; 20mA


Newark:
# KINGBRIGHT  KP-2012SF4C  Infrared Emitter, 120 °, 0805, 20 mA, 1.6 V


KP-2012SF4C中文资料参数规格
技术参数

针脚数 2

视角 120°

峰值波长 880 nm

耗散功率 80 mW

测试电流 20 mA

正向电流 20 mA

正向电压Max 1.6 V

正向电流Max 50 mA

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 80 mW

电源电压Max 1.6 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装公制 2012

封装 0805

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

封装公制 2012

封装 0805

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

制造应用 Industrial, Automation & Process Control, Wireless, Sensing & Instrumentation

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买KP-2012SF4C
型号: KP-2012SF4C
制造商: Kingbright
描述:Kingbright 2012 芯片 LED IR LED Kingbright 的 2012 系列是红外线发光二极管,采用芯片 LED 封装。 它们具有表面安装 SMD 封装,带有标准 2012 0805 印迹。 2012 IR LED 的特点: 0805 印迹 芯片 LED SMD 封装 尺寸:2 x 1.25 x 1.1 mm 120° 视角 ### 红外线 IR 发射器,Kingbright

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