K6T1008C2C-DB70

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K6T1008C2C-DB70概述

1Mbit SRAM 70ns 32-DIP - K6T1008C2C-DB70

GENERAL DESCRIPTION

The K6T1008C2C families are fabricated by SAMSUNG¢s advanced CMOS process technology. The families support various operating temperature ranges and have various package types for user flexibility of system design. The families also support low data retention voltage for battery back

up operation with low data retention current.

FEATURES

· Process Technology: TFT

·Organization: 128K x8

·Power Supply Voltage: 4.5~5.5V

·Low Data Retention Voltage: 2VMin

·Three state output and TTL Compatible

·Package Type: 32-DIP-600, 32-SOP-525, 32-TSOP1-0820F/R

K6T1008C2C-DB70中文资料参数规格
封装参数

封装 DIP

外形尺寸

封装 DIP

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买K6T1008C2C-DB70
型号: K6T1008C2C-DB70
制造商: Samsung 三星
描述:1Mbit SRAM 70ns 32-DIP - K6T1008C2C-DB70
替代型号K6T1008C2C-DB70
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