KRC659E

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KRC659E概述

KRC659E NPN+NPN复合带阻尼三极管 50V 100mA 0.2W R1=47KΩ R2=22KΩ 200MHZ SOT-553/TESV 标记NJ 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | 50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | 0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1 | 47KΩ 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2 | 22KΩ 基极与基极-发射极输入电阻比R1/R2 Base-Emitter Input Resistance RatioR1/R2 | 2.1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 200MHZ 耗散功率Pc Power Dissipation | 0.2W 描述与应用 Description & Applications |  外延平面NPN型晶体管   切换应用程序。   接口电路和驱动电路的应用。   特性   
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内置偏置电阻。   *简化电路设计。   *减少数量的零部件和制造过程。   *高存储密度。 技术文档PDF下载 | 在线阅读
KRC659E中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

封装参数

封装 SOT-553

外形尺寸

封装 SOT-553

数据手册

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型号: KRC659E
制造商: KECKorea Electronics KEC株式会社
描述:KRC659E NPN+NPN复合带阻尼三极管 50V 100mA 0.2W R1=47KΩ R2=22KΩ 200MHZ SOT-553/TESV 标记NJ 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路

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