KTK5132E

KTK5132E N沟道MOSFET 30V 100mA/0.1A SOT-523/ESM marking/标记 KB

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 100mA/0.1A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.007Ω/Ohm @10mA,2.5V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.5-1.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 100mW/0.1W Description & Applications| SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA ULTRA-HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS ANALOG SWITCH APPLICATIONS 2.5 Gate Drive. Low Threshold Voltage : Vth=0.5 1.5V. High Speed. Small Package. Enhancement-Mode. 描述与应用| 半导体技术数据 超高速开关应用 模拟开关应用 低阈值电压VTH=0.51.5V。 高速。 小包装。 增强模式