KN4F4M

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KN4F4M概述

KN4F4M 带阻尼PNP三极管 -60V -100mA/-0.1A 60~195 0.15W/150mW SOT-523/SC-75 标记B7 开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| -60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| -50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| -100mA/-0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 22KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 22KΩ/Ohm 电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 60~195 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.15W/150mW Description & Applications| FEATURES •SILICON TRANSISTOR •RESISTOR BUILT-IN TYPE PNP TRANSISTOR •Compact package •Resistors built-in type •Complementary to KA4xxx 描述与应用| 特点 •硅晶体管 •电阻器内置型PNP晶体管 •紧凑的封装 •内置式电阻器 •互补KA4xxx的

KN4F4M中文资料参数规格
封装参数

封装 SOT-523

外形尺寸

封装 SOT-523

其他

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO -60V

集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO -50V

集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC -100mA/-0.1A

基极输入电阻R1 Input ResistanceR1 22KΩ/Ohm

基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2 22KΩ/Ohm

电阻比R1/R2 Resistance Ratio 1

直流电流增益hFE DC Current GainhFE 60~195

耗散功率Pc Power Dissipation 0.15W/150mW

规格书PDF __

数据手册

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型号: KN4F4M
制造商: NEC 日本电气
描述:KN4F4M 带阻尼PNP三极管 -60V -100mA/-0.1A 60~195 0.15W/150mW SOT-523/SC-75 标记B7 开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路

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