
KST5401 PNP三极管 -160V -500mA/-0.5A 100~300MHz 60~240 -500mV/-0.5V SOT-23/SC-59 marking/标记 2L 高电压
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -160V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −150V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −500mA/-0.5A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100~300MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 60~240 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| PNP epitaxial planar transistor High Voltage Transistor 描述与应用| PNP外延平面晶体管 高电压晶体管
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
KST5401 Samsung 三星 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBT5401LT1G 安森美 | 功能相似 | KST5401和MMBT5401LT1G的区别 |
MMBT5401-7-F 美台 | 功能相似 | KST5401和MMBT5401-7-F的区别 |
MMBT5401-TP 美微科 | 功能相似 | KST5401和MMBT5401-TP的区别 |