K4H561638D-TLA0

K4H561638D-TLA0概述

128Mb DDR SDRAM

Key Features

Features

• Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle

• Bidirectional data strobeDQS

• Four banks operation

• Differential clock inputsCK and CK

• DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition

• MRS cycle with address key programs

   -. Read latency 2, 2.5 clock

   -. Burst length 2, 4, 8

   -. Burst type sequential & interleave

• All inputs except data & DM are sampled at the positive going edge of the system clockCK

• Data I/O transactions on both edges of data strobe

• Edge aligned data output, center aligned data input

• LDM,UDM/DM for write masking only

• Auto & Self refresh

• 15.6us refresh interval4K/64ms refresh

• Maximum burst refresh cycle : 8

• 66pin TSOP II package

K4H561638D-TLA0中文资料参数规格
封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSOP

外形尺寸

封装 TSOP

其他

产品生命周期 Obsolete

数据手册

在线购买K4H561638D-TLA0
型号: K4H561638D-TLA0
制造商: Samsung 三星
描述:128Mb DDR SDRAM
替代型号K4H561638D-TLA0
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