SILICON N-CHANNEL JUNCTION FET
LOW NOISE PRE-AMP. USE
High Input Impedance : Igds = 1nA MAX
Low Noise : NF = 0.5 dB TYP
High Voltage : Vgds = - 50 V
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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KSK30 Samsung 三星 | 当前型号 | 当前型号 |
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