KSK30

KSK30概述

SILICON N-CHANNEL JUNCTION FET

LOW NOISE PRE-AMP. USE

High Input Impedance : Igds = 1nA MAX

Low Noise : NF = 0.5 dB TYP

High Voltage : Vgds = - 50 V


KSK30中文资料参数规格
封装参数

封装 TO-92

外形尺寸

封装 TO-92

其他

产品生命周期 Obsolete

数据手册

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型号: KSK30
制造商: Samsung 三星
描述:SILICON N-CHANNEL JUNCTION FET
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