K4T51163QI-HCE6

K4T51163QI-HCE6图片1
K4T51163QI-HCE6中文资料参数规格
技术参数

位数 16

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 95 ℃

工作温度Min 0 ℃

封装参数

引脚数 84

封装 BGA

外形尺寸

封装 BGA

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买K4T51163QI-HCE6
型号: K4T51163QI-HCE6
制造商: Samsung 三星
描述:256Mbit DDR2 SDRAM 667MHz 84-FBGA - K4T51163QI-HCE6

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台