LM386N-1

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LM386N-1中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 6.00 V

额定功率 325 mW

通道数 1

带宽 300 kHz

输出功率 325 mW

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

耗散功率Max 1250 mW

电源电压 4V ~ 12V

电源电压Max 12 V

电源电压Min 4 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 8

封装 DIP-8

外形尺寸

封装 DIP-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC版本 2014/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买LM386N-1
型号: LM386N-1
制造商: National Semiconductor 美国国家半导体
描述:LM386N-1 管装
替代型号LM386N-1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

LM386N-1

National Semiconductor 美国国家半导体

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当前型号

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