L2N7002WT1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

L2N7002WT1G概述

MOS场效应管/L2N7002WT1G

• We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.

立创商城:
N沟道 60V 115mA

Win Source:
Small Signal MOSFET 115 mA, 60 V N-Channel SOT-323

L2N7002WT1G中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 7.5 Ω

极性 Nwith ESD

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 0.115A

封装参数

封装 SC-70-3

外形尺寸

封装 SC-70-3

其他

产品生命周期 Active

最小包装 3000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： L2N7002WT1G

描述：MOS场效应管/L2N7002WT1G