LMBT5551LT1G

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LMBT5551LT1G概述

LMBT5551LT1G

三极管


立创商城:
NPN 160V 600mA


Win Source:
High Voltage Transistors


LMBT5551LT1G中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 160 V

集电极最大允许电流 600mA

最小电流放大倍数hFE 80

最大电流放大倍数hFE 250

封装参数

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Unknown

最小包装 3000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买LMBT5551LT1G
型号: LMBT5551LT1G
描述:LMBT5551LT1G

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