LMBT3904LT1G

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LMBT3904LT1G概述

LMBT3904LT1G

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO | 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO | 40V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC | 200mA/0.2A 截止频率fTTranstion FrequencyfT | 300Mhz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE | 30~300 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage | 200mV~300mV 耗散功率PcPower Dissipation | 300mW/0.3W Description & Applications | Pb−Free Package May be Available. The G−Suffix Denotes a Pb−Free Lead Finish 描述与应用 | 可能提供无铅封装。 G-后缀表示 无铅牵头完成


立创商城:
NPN 40V 200mA


Win Source:
General Purpose Transistor


LMBT3904LT1G中文资料参数规格
技术参数

额定功率 225 mW

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 200mA

最小电流放大倍数hFE 100

最大电流放大倍数hFE 300

封装参数

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Unknown

最小包装 3000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

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型号: LMBT3904LT1G
描述:LMBT3904LT1G
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