LBSS123LT1G

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LBSS123LT1G概述

MOS场效应管/LBSS123LT1G

MOSFET


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N沟道 100V 170mA


LBSS123LT1G中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 6 Ω

极性 N

阈值电压 0.8 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 0.17A

封装参数

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Unknown

最小包装 3000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: LBSS123LT1G
描述:MOS场效应管/LBSS123LT1G
替代型号LBSS123LT1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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