LMBT3906LT1G

LMBT3906LT1G图片1
LMBT3906LT1G图片2
LMBT3906LT1G图片3
LMBT3906LT1G概述

LMBT3906LT1G

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO | -40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO | −40V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC | −200mA/-0.2A 截止频率fTTranstion FrequencyfT | 250MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE | 100~300 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage | -400mV/-0.4V 耗散功率PcPoWer Dissipation | 225mW/0.225W Description & Applications | PNP epitaxial planar transistor General Purpose Transistors FEATURE Pb−Free Package May be Available 描述与应用 | PNP外延平面晶体管 通用晶体管 特写 可能提供无铅封装

LMBT3906LT1G中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 200mA

最小电流放大倍数hFE 100

最大电流放大倍数hFE 300

封装参数

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 Unknown

最小包装 3000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买LMBT3906LT1G
型号: LMBT3906LT1G
描述:LMBT3906LT1G
替代型号LMBT3906LT1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

LMBT3906LT1G

Leshan Radio 乐山无线电

当前型号

当前型号

MMBT3906-13-F

美台

类似代替

LMBT3906LT1G和MMBT3906-13-F的区别

KN3906S

KEC株式会社

功能相似

LMBT3906LT1G和KN3906S的区别

2N3906_D81Z

飞兆/仙童

功能相似

LMBT3906LT1G和2N3906_D81Z的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司