L2SC4083PWT1G

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L2SC4083PWT1G概述

L2SC4083PWT1G

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO | 20V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO | 11V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC | 50mA 截止频率fTTranstion FrequencyfT | 14Ghz~32Ghz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE | 82~180 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage | 耗散功率PcPower Dissipation | Description & Applications | High-Frequency Amplifier TRANSISTOR the material of product compliance with RoHS requirements 描述与应用 | 高频放大器晶体管 产品是否符合RoHS要求的材料


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NPN 11V 50mA


Win Source:
High-Frequency Amplifier Transistor


L2SC4083PWT1G中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 11 V

集电极最大允许电流 50mA

最小电流放大倍数hFE 82

最大电流放大倍数hFE 180

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-70

外形尺寸

封装 SC-70

其他

产品生命周期 Active

最小包装 3000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: L2SC4083PWT1G
描述:L2SC4083PWT1G

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