LBC856BLT1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

LBC856BLT1G概述

LBC856BLT1G

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT

立创商城:
PNP 65V 100mA

Win Source:
General Purpose Transistors PNP Silicon

LBC856BLT1G中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 65 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 220

最大电流放大倍数hFE 475

封装参数

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Unknown

最小包装 3000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： LBC856BLT1G

描述：LBC856BLT1G

替代型号LBC856BLT1G