LTR-4206E概述
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得捷:
SENSOR PHOTO 940NM TOP VIEW T1
立创商城:
LTR-4206E
艾睿:
Phototransistor IR Chip Silicon 2-Pin T-1
TME:
Phototransistor; black; 20°; λp max:940nm; 100nA; 30V; THT
Verical:
Phototransistor IR Chip Silicon 2-Pin T-1
Win Source:
PHOTOTRAN NPN 3MM IR DARK
LTR-4206E中文资料参数规格
技术参数
波长 940 nm
视角 20°
峰值波长 940 nm
耗散功率 100 mW
上升时间 10000 ns
输出功率 100 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
额定功率Max 100 mW
下降时间 10 µs
下降时间Max 15000 ns
上升时间Max 10000 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 100 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 T-1
外形尺寸
长度 4 mm
宽度 4 mm
高度 5.25 mm
封装 T-1
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
外壳材质 Plastic
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买LTR-4206E