LTR-5576D概述
光电晶体管 Phototransistor PTX TBIT,. 2" HT
- 侧视图 径向，3 引线，侧视图
得捷:
SENSOR PHOTO SIDE VIEW RADIAL
贸泽:
光电晶体管 Phototransistor PTX TBIT,. 2" HT
艾睿:
No Phototransistor IR Chip 3-Pin
Verical:
Phototransistor IR Chip 3-Pin
儒卓力:
**DUAL PHOTOTRANSISTOR FILTER **
LTR-5576D中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 18000 ns
耗散功率 100 mW
上升时间 15000 ns
击穿电压集电极-发射极 30 V
额定功率Max 100 mW
下降时间 18000 ns
下降时间Max 18000 ns
上升时间Max 15000 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 100 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 Radial, 3 Lead, Side View
外形尺寸
封装 Radial, 3 Lead, Side View
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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