MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas Instruments
Texas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。
### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
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### MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
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低边 MOSFET 灌:3A 拉:5A
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IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
德州仪器TI:
5-A/3-A dual channel gate driver with active high or low output 4-V UVLO
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Gate Drivers Dual 5A Compound Driver
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Driver 5A 2-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC Tube
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MOSFET DRVR 5A 2-OUT Lo Side Non-Inv 8-Pin SOIC N Rail
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MOSFET DRVR 5A 2-OUT Lo Side Non-Inv 8-Pin SOIC Rail
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Driver 5A 2-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC Tube
Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS LM5111-1M/NOPB MOSFET Driver, 2 outputs, Low Side, 3.5V-14V supply, 5A and 30 ohm output, SOIC-8
电源电压DC 3.50V min
上升/下降时间 14ns, 12ns
输出接口数 2
输出电流 5 A
静态电流 1.00 mA
上升时间 25 ns
下降时间 25 ns
下降时间Max 25 ns
上升时间Max 25 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 3.5V ~ 14V
电源电压Max 14 V
电源电压Min 3.5 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.45 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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LM5111-1M/NOPB TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
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