LET16045C

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LET16045C概述

射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 RF PWR Trans LdMOST N-Ch 45W 16dB 1600

Need a MOSFET that will work in radio frequency environments? This RF amplifier made from STMicroelectronics is perfect for switching and amplifying electronic signals. Its maximum power dissipation is 108000 mW. This N channel RF power MOSFET operates in enhancement mode. Its maximum frequency is 1600 MHz. This RF power MOSFET has an operating temperature range of -65 °C to 200 °C.

LET16045C中文资料参数规格
技术参数

频率 1.6 GHz

耗散功率 100 W

输出功率 45 W

增益 16 dB

测试电流 400 mA

输入电容Ciss 58pF @28VVds

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 108000 mW

额定电压 80 V

封装参数

引脚数 3

封装 M-243

外形尺寸

封装 M-243

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买LET16045C
型号: LET16045C
描述:射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 RF PWR Trans LdMOST N-Ch 45W 16dB 1600

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