射频 MOSFET 晶体管，STMicroelectronics射频晶体管为 LDMOS，适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
射频 MOSFET ，STMicroelectronics
射频晶体管为 LDMOS，适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。
得捷:
IC RF TRANSISTOR LDMOS M246
欧时:
射频 MOSFET 晶体管，STMicroelectronics射频晶体管为 LDMOS，适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 180W 32V Wideband LDMOS TRANSISTOR
艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin Case M-246
安富利:
Trans MOSFET N-CH 80V 24A 5-Pin Case M-246
频率 860 MHz
耗散功率 318000 mW
输出功率 175 W
增益 20 dB
测试电流 500 mA
输入电容Ciss 70pF @32VVds
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 318 W
额定电压 80 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 M-246
长度 29.08 mm
宽度 5.97 mm
高度 5.08 mm
封装 M-246
工作温度 -65℃ ~ 200℃
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99