LET9060TR

LET9060TR图片1
LET9060TR图片2
LET9060TR图片3
LET9060TR概述

RF MOSFET Transistors RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD

This specially engineered RF amplifier from STMicroelectronics is perfect for circuits that operate at high frequencies. Its maximum power dissipation is 95000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This RF power MOSFET has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 165 °C. This N channel RF power MOSFET operates in enhancement mode. Its maximum frequency is 1000 MHz.

LET9060TR中文资料参数规格
技术参数

频率 960 MHz

额定电流 12 A

耗散功率 95000 mW

输出功率 60 W

增益 17.2 dB

测试电流 300 mA

输入电容Ciss 77pF @28VVds

工作温度Max 165 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 95000 mW

额定电压 80 V

封装参数

引脚数 3

封装 PowerSO-10RF

外形尺寸

封装 PowerSO-10RF

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买LET9060TR
型号: LET9060TR
描述:RF MOSFET Transistors RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD
替代型号LET9060TR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

LET9060TR

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

LET9060

意法半导体

完全替代

LET9060TR和LET9060的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台