LET9070CB

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LET9070CB概述

RF MOSFET Transistors RF PWR Trans LdmoST 28V 70W 16dB 945MHz

Amplifying and switching electronic signals fast and reliably can be done with this RF amplifier from STMicroelectronics specified for radio frequency environments. Its maximum power dissipation is 130000 mW. This N channel RF power MOSFET operates in enhancement mode. This RF power MOSFET has an operating temperature range of -65 °C to 200 °C.


得捷:
MOSF RF N CH 80V 12A M243


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 80V 12A 3-Pin Case M-243


安富利:
Trans MOSFET N-CH 80V 12A 3-Pin Case M-243


Chip1Stop:
Trans RF MOSFET N-CH 80V 12A 3-Pin Case M-243


DeviceMart:
MOSF RF N CH 80V 12A M243


LET9070CB中文资料参数规格
技术参数

频率 945 MHz

耗散功率 130000 mW

输出功率 80 W

增益 16 dB

测试电流 400 mA

输入电容Ciss 78pF @28VVds

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 130000 mW

额定电压 80 V

封装参数

引脚数 3

封装 M-243

外形尺寸

封装 M-243

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买LET9070CB
型号: LET9070CB
描述:RF MOSFET Transistors RF PWR Trans LdmoST 28V 70W 16dB 945MHz

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