LT1013DIDR

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LT1013DIDR概述

TEXAS INSTRUMENTS  LT1013DIDR  芯片, 运算放大器, 1MHZ, 0.4V/US, SOIC-8, 整卷

通用 放大器 2 电路 - 8-SOIC


得捷:
IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC


立创商城:
LT1013DIDR


德州仪器TI:
Low power, 5V - 44V wide supply range, dual precision operational amplifier


e络盟:
TEXAS INSTRUMENTS  LT1013DIDR  芯片, 运算放大器, 1MHZ, 0.4V/US, SOIC-8, 整卷


艾睿:
Op Amp Dual Low Offset Voltage Amplifier ±15V/30V 8-Pin SOIC T/R


安富利:
OP Amp Dual GP ±22V/44V 8-Pin SOIC T/R


Chip1Stop:
Standard Linear AmplifierDual Precision Operational Amplifier OP Amp Dual GP ±22V/44V 8-Pin SOIC T/R


Verical:
Op Amp Dual Low Offset Voltage Amplifier ±15V/30V 8-Pin SOIC T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  LT1013DIDR  Operational Amplifier, Dual, 2 Amplifier, 1 MHz, 0.4 V/µs, ± 2V to ± 18V, SOIC, 8 Pins


DeviceMart:
IC OPAMP GP 1MHZ DUAL PREC 8SOIC


Win Source:
IC OPAMP GP 1MHZ 8SOIC


LT1013DIDR中文资料参数规格
技术参数

供电电流 350 µA

电路数 2

通道数 2

针脚数 8

共模抑制比 97 dB

输入补偿漂移 500 nV/K

带宽 1 MHz

转换速率 400 mV/μs

增益频宽积 1 MHz

输入补偿电压 200 µV

输入偏置电流 15 nA

工作温度Max 105 ℃

工作温度Min -40 ℃

增益带宽 1 MHz

共模抑制比Min 97 dB

电源电压 5V ~ 30V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 105℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

LT1013DIDR引脚图与封装图
LT1013DIDR引脚图
LT1013DIDR封装图
LT1013DIDR封装焊盘图
在线购买LT1013DIDR
型号: LT1013DIDR
制造商: TI 德州仪器
描述:TEXAS INSTRUMENTS  LT1013DIDR  芯片, 运算放大器, 1MHZ, 0.4V/US, SOIC-8, 整卷
替代型号LT1013DIDR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

LT1013DIDR

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LT1013DIDRE4

德州仪器

完全替代

LT1013DIDR和LT1013DIDRE4的区别

LT1013DDR

德州仪器

类似代替

LT1013DIDR和LT1013DDR的区别

LT1013DD

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