LF353DR

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LF353DR概述

JFET 输入运算放大器,LF347 - LF444 系列### 运算放大器,Texas Instruments

JFET 输入,LF347 - LF444 系列


欧时:
Texas Instruments 运算放大器 LF353DR 双, 3MHz增益带宽积, 8引脚 SOIC封装


得捷:
IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC


立创商城:
LF353DR


德州仪器TI:
Dual, 36-V, 3-MHz, high slew rate 13-V/µs, In to V+, JFET-input operational amplifier


e络盟:
运算放大器, 双路, 2个放大器, 3 MHz, 13 V/µs, ± 3.5V 至 ± 18V, SOIC, 8 引脚


艾睿:
Op Amp Dual Wideband Amplifier ±18V 8-Pin SOIC T/R


安富利:
OP Amp Dual GP ±18V 8-Pin SOIC T/R


Chip1Stop:
Standard Linear AmplifierDual General-Purpose JFET-input Operational Amplifier OP Amp Dual GP A?A±18V 8-Pin SOIC T/R


Verical:
Op Amp Dual Wideband Amplifier ±18V 8-Pin SOIC T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  LF353DR  Operational Amplifier, Dual, 3 MHz, 2, 13 V/ s, 3.5V to 18V, SOIC, 8


力源芯城:
双路通用JFET输入运放


DeviceMart:
IC OPAMP JFET 3MHZ DUAL 8SOIC


Win Source:
IC OPAMP JFET 3MHZ 8SOIC


LF353DR中文资料参数规格
技术参数

供电电流 3.6 mA

电路数 2

通道数 2

针脚数 8

耗散功率 0.5 W

共模抑制比 70 dB

输入补偿漂移 10.0 µV/K

带宽 3 MHz

转换速率 13.0 V/μs

增益频宽积 3 MHz

输入补偿电压 5 mV

输入偏置电流 50 pA

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

增益带宽 3 MHz

耗散功率Max 500 mW

共模抑制比Min 70 dB

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电源管理, 音频, 信号处理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

LF353DR引脚图与封装图
LF353DR引脚图
LF353DR封装图
LF353DR封装焊盘图
在线购买LF353DR
型号: LF353DR
制造商: TI 德州仪器
描述:JFET 输入运算放大器,LF347 - LF444 系列 ### 运算放大器,Texas Instruments
替代型号LF353DR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

LF353DR

TI 德州仪器

当前型号

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