LMV358MX/NOPB

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LMV358MX/NOPB概述

TEXAS INSTRUMENTS  LMV358MX/NOPB  芯片, 运算放大器, 低电压, 2路, 1MHz, SOIC8

通用 放大器 2 电路 满摆幅 8-SOIC


得捷:
IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC


立创商城:
LMV358MX/NOPB


德州仪器TI:
Dual, 5.5-V, 1-MHz op amp


e络盟:
TEXAS INSTRUMENTS  LMV358MX/NOPB  芯片, 运算放大器, 低电压, 2路, 1MHz, SOIC8


艾睿:
Increase functionality to your instrumentation with this general purpose amplifier LMV358MX/NOPB OP amp from Texas Instruments. This op amp has a temperature range of -40 °C to 85 °C. This device uses a single power supply. This device utilizes biCMOS technology. It has 2 channels per chip.


安富利:
OP Amp Dual GP R-R O/P 5.5V 8-Pin SOIC N T/R


Chip1Stop:
OP Amp Dual GP R-R O/P 5.5V 8-Pin SOIC T/R


Verical:
Op Amp Dual Low Voltage Amplifier R-R O/P 5.5V 8-Pin SOIC T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  LMV358MX/NOPB  Operational Amplifier, Dual, 2 Amplifier, 1 MHz, 1 V/µs, 2.7V to 5.5V, SOIC, 8 Pins


力源芯城:
低电压,轨至轨输出,双路运算放大器


DeviceMart:
IC OP AMP DUAL LOW V R-R 8-SOIC


Win Source:
IC OPAMP GP 1MHZ RRO 8SOIC


LMV358MX/NOPB中文资料参数规格
技术参数

输出电流 60.0 mA

供电电流 210 µA

电路数 2

通道数 2

针脚数 8

共模抑制比 50 dB

输入补偿漂移 5.00 µV/K

带宽 1 MHz

转换速率 1.00 V/μs

增益频宽积 1 MHz

输入补偿电压 1.7 mV

输入偏置电流 15 nA

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

增益带宽 1 MHz

共模抑制比Min 50 dB

电源电压 2.7V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 车用, 信号处理, 便携式器材

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

LMV358MX/NOPB引脚图与封装图
LMV358MX/NOPB引脚图
LMV358MX/NOPB封装图
LMV358MX/NOPB封装焊盘图
在线购买LMV358MX/NOPB
型号: LMV358MX/NOPB
制造商: TI 德州仪器
描述:TEXAS INSTRUMENTS  LMV358MX/NOPB  芯片, 运算放大器, 低电压, 2路, 1MHz, SOIC8
替代型号LMV358MX/NOPB
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

LMV358MX/NOPB

TI 德州仪器

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当前型号

LMV358M/NOPB

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完全替代

LMV358MX/NOPB和LMV358M/NOPB的区别

LMV358M

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完全替代

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LMV358IDR

德州仪器

类似代替

LMV358MX/NOPB和LMV358IDR的区别

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