LMV358M/NOPB

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LMV358M/NOPB概述

LMV 系列

低电压,LMV 系列


欧时:
Texas Instruments 运算放大器 LMV358M/NOPB 双, 1MHz增益带宽积, 3 至 5V, 8引脚 SOIC封装


得捷:
IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC


立创商城:
LMV358M/NOPB


德州仪器TI:
Dual, 5.5-V, 1-MHz op amp


贸泽:
Operational Amplifiers - Op Amps GENERAL PURPOSE, LOW VLTG, RRO OP AMP


e络盟:
芯片, 运算放大器, 1MHZ, 1V/uS, SOIC-8


艾睿:
Op Amp Dual Low Voltage Amplifier R-R O/P 5.5V 8-Pin SOIC Tube


安富利:
OP Amp Dual GP R-R O/P 5.5V 8-Pin SOIC N Rail


Chip1Stop:
Op Amp Dual GP R-R O/P 5.5V 8-Pin SOIC Tube


Verical:
Op Amp Dual Low Voltage Amplifier R-R O/P 5.5V 8-Pin SOIC Tube


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  LMV358M/NOPB  Operational Amplifier, Single, 1 Amplifier, 1 MHz, 1 V/µs, 2.7V to 5.5V, SOIC, 8 Pins


DeviceMart:
IC OP AMP DUAL LOW V R-R 8-SOIC


Win Source:
IC OPAMP GP 1MHZ RRO 8SOIC


LMV358M/NOPB中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 5.50V max

输出电流 60.0 mA

供电电流 210 µA

电路数 2

通道数 2

针脚数 8

共模抑制比 50 dB

输入补偿漂移 5.00 µV/K

带宽 1 MHz

转换速率 1.00 V/μs

增益频宽积 1 MHz

输入补偿电压 1.7 mV

输入偏置电流 15 nA

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

增益带宽 1 MHz

共模抑制比Min 50 dB

电源电压 2.7V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.45 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

LMV358M/NOPB引脚图与封装图
LMV358M/NOPB引脚图
LMV358M/NOPB封装图
LMV358M/NOPB封装焊盘图
在线购买LMV358M/NOPB
型号: LMV358M/NOPB
制造商: TI 德州仪器
描述:LMV 系列
替代型号LMV358M/NOPB
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

LMV358M/NOPB

TI 德州仪器

当前型号

当前型号

LMV358MX/NOPB

德州仪器

完全替代

LMV358M/NOPB和LMV358MX/NOPB的区别

LMV358IDRG4

德州仪器

类似代替

LMV358M/NOPB和LMV358IDRG4的区别

LMV358QD

德州仪器

类似代替

LMV358M/NOPB和LMV358QD的区别

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