LM358M/NOPB

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LM358M/NOPB概述

TEXAS INSTRUMENTS  LM358M/NOPB  运算放大器, 双路, 1 MHz, 2个放大器, 0.1 V/µs, 3V 至 32V, SOIC, 8 引脚

通用,LM 系列

Texas Instruments 的一系列通用运算放大器适用于多种使用。 这些设备在非专业应用中提供经济型性能,并提供单路、双路和四路配置。 该系列包括多种通孔和表面安装封装。 运算放大器 LM 系列中的很多设备提供低功耗,且能够采用单电源操作,带包括接地在内的输入共模电压。


欧时:
Texas Instruments 运算放大器 LM358M/NOPB 双 精确, 1MHz增益带宽积, 5 → 28 V单电源电压, 8引脚


得捷:
IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC


立创商城:
LM358M/NOPB


德州仪器TI:
Dual, 32-V, 1-MHz op amp


艾睿:
Op Amp Dual Low Power Amplifier ±16V/32V 8-Pin SOIC Tube


安富利:
OP Amp Dual GP ±16V/32V 8-Pin SOIC N Rail


Chip1Stop:
Op Amp Dual GP ツア16V/32V 8-Pin SOIC Tube


Verical:
Op Amp Dual Low Power Amplifier ±16V/32V 8-Pin SOIC Tube


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  LM358M/NOPB  Operational Amplifier, Dual, 2 Amplifier, 1 MHz, 0.1 V/µs, 3V to 32V, SOIC, 8 Pins


DeviceMart:
IC OP AMP DUAL LOW PWR 8-SOIC


Win Source:
IC OPAMP GP 1MHZ 8SOIC


LM358M/NOPB中文资料参数规格
技术参数

输出电流 40mA @15V

供电电流 1 mA

电路数 2

通道数 2

针脚数 8

耗散功率 0.53 W

共模抑制比 65 dB

输入补偿漂移 7.00 µV/K

带宽 1 MHz

转换速率 100 mV/μs

增益频宽积 1 MHz

输入补偿电压 2 mV

输入偏置电流 45 nA

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

增益带宽 1 MHz

耗散功率Max 530 mW

共模抑制比Min 65 dB

电源电压 3V ~ 32V

电源电压Max 32 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.45 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

LM358M/NOPB引脚图与封装图
LM358M/NOPB引脚图
LM358M/NOPB封装图
LM358M/NOPB封装焊盘图
在线购买LM358M/NOPB
型号: LM358M/NOPB
制造商: TI 德州仪器
描述:TEXAS INSTRUMENTS  LM358M/NOPB  运算放大器, 双路, 1 MHz, 2个放大器, 0.1 V/µs, 3V 至 32V, SOIC, 8 引脚
替代型号LM358M/NOPB
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

LM358M/NOPB

TI 德州仪器

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LM358MX/NOPB

德州仪器

完全替代

LM358M/NOPB和LM358MX/NOPB的区别

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