LF353M/NOPB

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LF353M/NOPB概述

TEXAS INSTRUMENTS  LF353M/NOPB.  四路运算放大器

JFET 输入,LF347 - LF444 系列


得捷:
IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC


欧时:
Texas Instruments 运算放大器 LF353M/NOPB 双, 4MHz增益带宽积, 8引脚 SOIC封装


立创商城:
LF353M/NOPB


贸泽:
运算放大器 - 运放 WIDE BW DUAL JFET INPUT OP AMP


e络盟:
运算放大器, 双路, 2个放大器, 4 MHz, 13 V/µs, 10V 至 36V, SOIC, 8 引脚


艾睿:
Op Amp Dual Wideband Amplifier ±18V 8-Pin SOIC Tube


安富利:
OP Amp Dual GP ±18V 8-Pin SOIC N Rail


Chip1Stop:
OP Amp Dual GP ±18V 8-Pin SOIC N Rail


TME:
Operational amplifier; 3MHz; 3.5÷18V; Channels:2; SO8


Verical:
Op Amp Dual Wideband Amplifier ±18V 8-Pin SOIC Tube


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  LF353M/NOPB  Operational Amplifier, Dual, 2 Amplifier, 4 MHz, 13 V/µs, 10V to 36V, SOIC, 8 Pins


DeviceMart:
IC OP AMP WB DUAL JFET IN 8-SOIC


德州仪器TI:
Dual, 36-V, 4-MHz, high slew rate 13-V/µs, In to V+, JFET-input op amp


LF353M/NOPB中文资料参数规格
技术参数

输出电流 20.0 mA

供电电流 3.6 mA

电路数 2

通道数 2

针脚数 8

共模抑制比 70 dB

输入补偿漂移 10.0 µV/K

带宽 4 MHz

转换速率 13.0 V/μs

增益频宽积 4 MHz

输入补偿电压 5 mV

输入偏置电流 50 pA

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

增益带宽 4 MHz

共模抑制比Min 70 dB

电源电压 10V ~ 36V

电源电压Max 36 V

电源电压Min 10 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.45 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 信号处理, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

LF353M/NOPB引脚图与封装图
LF353M/NOPB引脚图
LF353M/NOPB封装图
LF353M/NOPB封装焊盘图
在线购买LF353M/NOPB
型号: LF353M/NOPB
制造商: TI 德州仪器
描述:TEXAS INSTRUMENTS  LF353M/NOPB.  四路运算放大器
替代型号LF353M/NOPB
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

LF353M/NOPB

TI 德州仪器

当前型号

当前型号

LF353MX/NOPB

德州仪器

完全替代

LF353M/NOPB和LF353MX/NOPB的区别

LF353MX

德州仪器

完全替代

LF353M/NOPB和LF353MX的区别

LF353D

德州仪器

类似代替

LF353M/NOPB和LF353D的区别

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