LPC662AIM/NOPB

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LPC662AIM/NOPB概述

CMOS 运算放大器,LMC/LPC 系列### 运算放大器,Texas Instruments

CMOS ,LMC/LPC 系列


得捷:
LPC662 LOW POWER CMOS DUAL OPERA


立创商城:
LPC662AIM/NOPB


德州仪器TI:
Dual, 15-V, 350-kHz operational amplifier


欧时:
Texas Instruments 运算放大器 LPC662AIM/NOPB 双 精确, 350kHz增益带宽积, 5 → 15 V单电源电压


贸泽:
运算放大器 - 运放 Low Power CMOS Dual Op Amp


艾睿:
Increase functionality to your control circuit with this general purpose amplifier LPC662AIM/NOPB OP amp from Texas Instruments. This op amp has a temperature range of -40 °C to 85 °C. This device uses a single power supply. It has 2 channels per chip. This device utilizes CMOS technology.


安富利:
OP Amp Dual GP R-R O/P 15.5V 8-Pin SOIC N Rail


Chip1Stop:
OP Amp Dual GP R-R O/P 15.5V 8-Pin SOIC N Rail


Verical:
Op Amp Dual Low Power Amplifier R-R O/P 15.5V 8-Pin SOIC Tube


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  LPC662AIM/NOPB  Operational Amplifier, Dual, 2 Amplifier, 350 kHz, 0.11 V/µs, 4.75V to 15.5V, SOIC, 8 Pins


DeviceMart:
IC OP AMP DUAL LP CMOS 8-SOIC


Win Source:
IC OPAMP GP 350KHZ RRO 8SOIC


LPC662AIM/NOPB中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 15.0V max

输出电流 22mA @5V

供电电流 86 µA

电路数 2

通道数 2

共模抑制比 70 dB

输入补偿漂移 0.00 V/K

带宽 350 kHz

转换速率 110 mV/μs

增益频宽积 350 kHz

输入补偿电压 1 mV

输入偏置电流 0.002 pA

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

增益带宽 0.35 MHz

共模抑制比Min 70 dB

电源电压 4.75V ~ 15.5V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 3.988 mm

高度 1.499 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

LPC662AIM/NOPB引脚图与封装图
LPC662AIM/NOPB引脚图
LPC662AIM/NOPB封装图
LPC662AIM/NOPB封装焊盘图
在线购买LPC662AIM/NOPB
型号: LPC662AIM/NOPB
制造商: TI 德州仪器
描述:CMOS 运算放大器,LMC/LPC 系列 ### 运算放大器,Texas Instruments
替代型号LPC662AIM/NOPB
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

LPC662AIM/NOPB

TI 德州仪器

当前型号

当前型号

TLC272ACD

德州仪器

类似代替

LPC662AIM/NOPB和TLC272ACD的区别

TLC272ACDR

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