LP358DR

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LP358DR概述

超低功耗双运算放大器 ULTRA-LOW-POWER DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS

通用 放大器 2 电路 - 8-SOIC


得捷:
IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC


立创商城:
LP358DR


德州仪器TI:
Dual, 32-V, 100-kHz, low Iq 21-µA/ch, 4-mV offset voltage op amp with 0°C to 70°C operation


贸泽:
运算放大器 - 运放 Ultra-Lo-Pwr Dual


艾睿:
Op Amp Dual Low Power Amplifier ±16V/32V 8-Pin SOIC T/R


安富利:
OP Amp Dual GP ±16V/32V 8-Pin SOIC T/R


Chip1Stop:
Standard Linear AmplifierUltra-Low-Power Dual Operational Amplifier OP Amp Dual GP ±16V/32V 8-Pin SOIC T/R


Verical:
Op Amp Dual Low Power Amplifier ±16V/32V 8-Pin SOIC T/R


Win Source:
IC OPAMP GP 100KHZ 8SOIC


LP358DR中文资料参数规格
技术参数

输出电流 10mA @5V

供电电流 85 µA

电路数 2

通道数 2

共模抑制比 80 dB

输入补偿漂移 10.0 µV/K

带宽 100 kHz

转换速率 50.0 mV/μs

增益频宽积 100 kHz

输入补偿电压 2 mV

输入偏置电流 2 nA

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

增益带宽 0.1 MHz

共模抑制比Min 80 dB

电源电压Max 32 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

LP358DR引脚图与封装图
LP358DR引脚图
LP358DR封装图
LP358DR封装焊盘图
在线购买LP358DR
型号: LP358DR
制造商: TI 德州仪器
描述:超低功耗双运算放大器 ULTRA-LOW-POWER DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS
替代型号LP358DR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

LP358DR

TI 德州仪器

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LP358DR和LP358D的区别

LP358DG4

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