LMV358QDDUR

LMV358QDDUR图片1
LMV358QDDUR图片2
LMV358QDDUR图片3
LMV358QDDUR图片4
LMV358QDDUR图片5
LMV358QDDUR图片6
LMV358QDDUR图片7
LMV358QDDUR图片8
LMV358QDDUR图片9
LMV358QDDUR图片10
LMV358QDDUR概述

LMV 系列### 运算放大器,Texas Instruments

低电压,LMV 系列


得捷:
IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8VSSOP


立创商城:
LMV358QDDUR


德州仪器TI:
Dual, 5.5-V, 1-MHz, RRO operational amplifier


欧时:
Texas Instruments 运算放大器 LMV358QDDUR 双 低电压, 1MHz增益带宽积, 2.7 → 5.5 V单电源电压


贸泽:
运算放大器 - 运放 Dual Low-Voltage Rail-to-Rail Out


艾睿:
Commonly used in nearly all electronics today, this general purpose amplifier LMV358QDDUR OP amp from Texas Instruments produces a large amount of gain. This op amp has a temperature range of -40 °C to 125 °C. This device utilizes biCMOS technology. This device uses a single power supply. It has 2 channels per chip.


安富利:
OP Amp Dual GP R-R O/P 5.5V 8-Pin VSSOP T/R


Chip1Stop:
Standard Linear AmplifierDual Low-Voltage Rail-to-Rail Output Operational Amplifier OP Amp Dual GP R-R O/P 5.5V 8-Pin VSSOP T/R


Verical:
Op Amp Dual Low Voltage Amplifier R-R O/P 5.5V 8-Pin VSSOP T/R


Win Source:
IC OPAMP GP 1MHZ RRO 8VSSOP


LMV358QDDUR中文资料参数规格
技术参数

供电电流 210 µA

电路数 2

通道数 2

共模抑制比 50 dB

输入补偿漂移 5.00 µV/K

带宽 1.00 MHz

转换速率 1.00 V/μs

增益频宽积 1 MHz

输入补偿电压 1.7 mV

输入偏置电流 15 nA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

增益带宽 1 MHz

共模抑制比Min 50 dB

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSSOP-8

外形尺寸

长度 2.1 mm

宽度 2.4 mm

高度 0.8 mm

封装 VSSOP-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

LMV358QDDUR引脚图与封装图
LMV358QDDUR引脚图
LMV358QDDUR封装图
LMV358QDDUR封装焊盘图
在线购买LMV358QDDUR
型号: LMV358QDDUR
制造商: TI 德州仪器
描述:LMV 系列 ### 运算放大器,Texas Instruments
替代型号LMV358QDDUR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

LMV358QDDUR

TI 德州仪器

当前型号

当前型号

LMV358QDDURG4

德州仪器

类似代替

LMV358QDDUR和LMV358QDDURG4的区别

LMV358QDDURE4

德州仪器

类似代替

LMV358QDDUR和LMV358QDDURE4的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台