LMV342IDR

LMV342IDR图片1
LMV342IDR图片2
LMV342IDR图片3
LMV342IDR图片4
LMV342IDR图片5
LMV342IDR图片6
LMV342IDR图片7
LMV342IDR图片8
LMV342IDR图片9
LMV342IDR图片10
LMV342IDR图片11
LMV342IDR图片12
LMV342IDR图片13
LMV342IDR图片14
LMV342IDR概述

CMOS 运算放大器,LMV/TLV 系列### 运算放大器,Texas Instruments

低电压 CMOS ,LMV/TLV 系列


得捷:
IC CMOS 2 CIRCUIT 8SOIC


立创商城:
LMV342IDR


德州仪器TI:
Dual, 5.5-V, 1-MHz, high output current 75-mA operational amplifier


欧时:
Texas Instruments 运算放大器 LMV342IDR 双, 1MHz增益带宽积, 3 至 5V, 8引脚 SOIC封装


贸泽:
运算放大器 - 运放 Dual R-To-R Output CMOS w/Shutdown


e络盟:
运算放大器, 2个放大器, 1 MHz, 1 V/µs, 2.5V 至 5.5V, SOIC, 8 引脚


艾睿:
Op Amp Dual Low Voltage Amplifier R-R O/P 5.5V 8-Pin SOIC T/R


安富利:
OP Amp Dual GP R-R O/P 5.5V 8-Pin SOIC T/R


Verical:
Op Amp Dual Low Voltage Amplifier R-R O/P 5.5V 8-Pin SOIC T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  LMV342IDR  Operational Amplifier, 1 MHz, 2, 1 V/ s, 2.5V to 5.5V, SOIC, 8


Win Source:
IC OPAMP GP 1MHZ RRO 8SOIC


LMV342IDR中文资料参数规格
技术参数

供电电流 107 µA

电路数 2

通道数 2

针脚数 8

共模抑制比 56 dB

输入补偿漂移 1.90 µV/K

带宽 1 MHz

转换速率 1.00 V/μs

增益频宽积 1 MHz

输入补偿电压 250 µV

输入偏置电流 1 pA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

增益带宽 1 MHz

共模抑制比Min 56 dB

电源电压 2.5V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

LMV342IDR引脚图与封装图
LMV342IDR引脚图
LMV342IDR封装图
LMV342IDR封装焊盘图
在线购买LMV342IDR
型号: LMV342IDR
制造商: TI 德州仪器
描述:CMOS 运算放大器,LMV/TLV 系列 ### 运算放大器,Texas Instruments
替代型号LMV342IDR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

LMV342IDR

TI 德州仪器

当前型号

当前型号

LMV342MA/NOPB

德州仪器

类似代替

LMV342IDR和LMV342MA/NOPB的区别

LMV342ID

德州仪器

类似代替

LMV342IDR和LMV342ID的区别

LMV342IDRG4

德州仪器

类似代替

LMV342IDR和LMV342IDRG4的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台