LMV722IDR

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LMV722IDR概述

低电压运算放大器,LMV 系列### 运算放大器,Texas Instruments

低电压,LMV 系列


立创商城:
LMV722IDR


得捷:
IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC


德州仪器TI:
Dual, 5-V, 10-MHz, low noise 8.5-nV/√Hz operational amplifier


欧时:
### 低电压运算放大器,LMV 系列### 运算放大器,Texas Instruments


艾睿:
OP Amp Dual GP R-R O/P 5V 8-Pin SOIC T/R


安富利:
OP Amp Dual GP R-R O/P 5V 8-Pin SOIC T/R


Chip1Stop:
Standard Linear Amplifier10-MHz Low-Noise Low-Voltage Low-Power Operational Amplifiers OP Amp Dual GP R-R O/P 5V 8-Pin SOIC T/R


Verical:
Op Amp Dual Low Noise Amplifier R-R O/P 5V 8-Pin SOIC T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  LMV722IDR  Operational Amplifier, Dual, 2 Amplifier, 10 MHz, 5.25 V/µs, 2.2V to 5V, SOIC, 8 Pins


Win Source:
IC OPAMP GP 10MHZ RRO 8SOIC


LMV722IDR中文资料参数规格
技术参数

供电电流 2.01 mA

电路数 2

通道数 2

共模抑制比 80 dB

输入补偿漂移 600 nV/K

带宽 10 MHz

转换速率 5.25 V/μs

增益频宽积 10 MHz

输入补偿电压 80 µV

输入偏置电流 260 nA

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

增益带宽 10 MHz

共模抑制比Min 80 dB

电源电压 2.2V ~ 5V

电源电压Max 5 V

电源电压Min 2.2 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 105℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

LMV722IDR引脚图与封装图
LMV722IDR引脚图
LMV722IDR封装图
LMV722IDR封装焊盘图
在线购买LMV722IDR
型号: LMV722IDR
制造商: TI 德州仪器
描述:低电压运算放大器,LMV 系列 ### 运算放大器,Texas Instruments
替代型号LMV722IDR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

LMV722IDR

TI 德州仪器

当前型号

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LMV722ID

德州仪器

完全替代

LMV722IDR和LMV722ID的区别

LMV722IDG4

德州仪器

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LMV722IDR和LMV722IDG4的区别

LMV722IDRG4

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