LT1013DDR

LT1013DDR图片1
LT1013DDR图片2
LT1013DDR图片3
LT1013DDR图片4
LT1013DDR图片5
LT1013DDR图片6
LT1013DDR图片7
LT1013DDR图片8
LT1013DDR图片9
LT1013DDR图片10
LT1013DDR图片11
LT1013DDR图片12
LT1013DDR图片13
LT1013DDR图片14
LT1013DDR图片15
LT1013DDR概述

TEXAS INSTRUMENTS  LT1013DDR  芯片, 精密运算放大器, 2路

精密,Texas Instruments

一系列来自 Texas Instruments 的精密运算放大器,具有低输入偏置电压,且随温度发生的偏置电压偏移较小。 这些设备具有稳定的可预测工作特性,这在众多要求苛刻的应用中至关重要。 CMOS 和 JFET 输入类型还具有极低的输入偏置电流,这使它们非常适合在要求较高电阻值的电路中使用。


欧时:
### 精密运算放大器一系列来自 Texas Instruments 的精密运算放大器,具有低输入偏置电压,且随温度发生的偏置电压偏移较小。 这些设备具有稳定的可预测工作特性,这在众多要求苛刻的应用中至关重要。 CMOS 和 JFET 输入类型还具有极低的输入偏置电流,这使它们非常适合在要求较高电阻值的电路中使用。### 运算放大器,Texas Instruments


得捷:
IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC


立创商城:
LT1013DDR


德州仪器TI:
Low power, 5V - 44V wide supply range, dual precision operational amplifier


贸泽:
Precision Amplifiers Dual Prec Op Amp


e络盟:
运算放大器, 精密, 2个放大器, 700 kHz, 0.4 V/µs, 5V 至 30V, SOIC, 8 引脚


艾睿:
Optimize your circuit with this general purpose amplifier LT1013DDR OP amp from Texas Instruments by adding functionalities such as amplifying voltages and performing basic mathematical operations. Its typical dual supply voltage is ±3|±5|±9|±12|±15|±18 V, with a minimum of ±2 V and maximum of ±22 V. This op amp has a temperature range of 0 °C to 70 °C. It has 2 channels per chip. This device uses one or two power supplies. This device utilizes bipolar technology.


安富利:
OP Amp Dual GP ±22V/44V 8-Pin SOIC T/R


Chip1Stop:
Standard Linear AmplifierDual Precision Operational Amplifier OP Amp Dual GP ±22V/44V 8-Pin SOIC T/R


Verical:
Op Amp Dual Low Offset Voltage Amplifier ±15V/30V 8-Pin SOIC T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  LT1013DDR  Operational Amplifier, Dual, 2 Amplifier, 1 MHz, 0.4 V/µs, ± 2V to ± 18V, SOIC, 8 Pins


DeviceMart:
IC OPAMP GP 1MHZ DUAL PREC 8SOIC


Win Source:
IC OPAMP GP 1MHZ 8SOIC


LT1013DDR中文资料参数规格
技术参数

供电电流 350 µA

电路数 2

通道数 2

针脚数 8

共模抑制比 97 dB

输入补偿漂移 500 nV/K

带宽 1 MHz

转换速率 400 mV/μs

增益频宽积 1 MHz

输入补偿电压 200 µV

输入偏置电流 15 nA

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

增益带宽 1 MHz

共模抑制比Min 97 dB

电源电压 5V ~ 30V

电源电压Max 44 V

电源电压Min 4 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

LT1013DDR引脚图与封装图
LT1013DDR引脚图
LT1013DDR封装图
LT1013DDR封装焊盘图
在线购买LT1013DDR
型号: LT1013DDR
制造商: TI 德州仪器
描述:TEXAS INSTRUMENTS  LT1013DDR  芯片, 精密运算放大器, 2路
替代型号LT1013DDR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

LT1013DDR

TI 德州仪器

当前型号

当前型号

LT1013DD

德州仪器

完全替代

LT1013DDR和LT1013DD的区别

LT1013DDG4

德州仪器

完全替代

LT1013DDR和LT1013DDG4的区别

LT1013DID

德州仪器

类似代替

LT1013DDR和LT1013DID的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台