LMV358DR2G

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LMV358DR2G概述

LMV 系列 1 V/us 5 V 表面贴装 双 低压运算放大器 - SOIC-8

LMV321、LMV324、LMV358、低功率、轨对轨输出、,

工作范围 2.7 V 至 5 V

无输出跨接失真

低静态电流

### 运算放大器,ON Semiconductor


欧时:
ON Semiconductor 运算放大器 LMV358DR2G 双 低电压, 1MHz增益带宽积, 2.7 → 5 V单电源电压, 8引脚


立创商城:
运算放大器,低功耗,轨对轨输出,CMOS 运算放大器


得捷:
IC VOLTAGE FEEDBACK 2 CIRC 8SOIC


e络盟:
Operational Amplifier, Rail-to-Rail, 2 Amplifier, 1 MHz, 1 V/µs, 2.7V to 5.5V, SOIC, 8 Pins


艾睿:
Increase functionality to your signal processing circuit with this general purpose amplifier LMV358DR2G OP amp from ON Semiconductor. This op amp has a minimum operating temperature of -40 °C and a maximum of 85 °C. This device is made with CMOS technology. It has 2 channels per chip. This device uses a single power supply.


Allied Electronics:
LMV358DR2G; Dual Low Voltage Op Amp; 1MHz Push-Pull; 2.7 to 5 V; 8-Pin SOIC


安富利:
OP Amp Dual GP R-R O/P 5V 8-Pin SOIC N T/R


Verical:
Op Amp Dual Low Voltage Amplifier R-R O/P 5V 8-Pin SOIC N T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  LMV358DR2G  OPAMP, 1MHZ, 1V/US, 0.009V, SOIC-8


力源芯城:
低压运放


DeviceMart:
IC OP AMP DUAL LV R-R 8-SOIC


LMV358DR2G中文资料参数规格
技术参数

无卤素状态 Halogen Free

输出电流 160 mA

供电电流 210 µA

电路数 2

通道数 2

针脚数 8

共模抑制比 65 dB

带宽 1 MHz

转换速率 1.00 V/μs

增益频宽积 1 MHz

输入补偿电压 1.7 mV

输入偏置电流 1 nA

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

增益带宽 1 MHz

共模抑制比Min 50 dB

电源电压 2.7V ~ 5.5V

电源电压Max 5 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Sensor amplification or buffering, Voltage regulation

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

LMV358DR2G引脚图与封装图
LMV358DR2G引脚图
LMV358DR2G封装图
LMV358DR2G封装焊盘图
在线购买LMV358DR2G
型号: LMV358DR2G
描述:LMV 系列 1 V/us 5 V 表面贴装 双 低压运算放大器 - SOIC-8
替代型号LMV358DR2G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

LMV358DR2G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

OPA2337UA

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