LT1013DD

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LT1013DD概述

TEXAS INSTRUMENTS  LT1013DD  双运算放大器

精密,Texas Instruments

一系列来自 Texas Instruments 的精密运算放大器,具有低输入偏置电压,且随温度发生的偏置电压偏移较小。 这些设备具有稳定的可预测工作特性,这在众多要求苛刻的应用中至关重要。 CMOS 和 JFET 输入类型还具有极低的输入偏置电流,这使它们非常适合在要求较高电阻值的电路中使用。


欧时:
Texas Instruments 运算放大器 LT1013DD 双, 5 → 28 V单电源电压, 8引脚 SOIC封装


得捷:
IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC


立创商城:
Operational Amplifiers


e络盟:
IC, OP-AMP, 1MHZ, 0.4V/ US, SOIC-8


艾睿:
Op Amp Dual Low Offset Voltage Amplifier ±15V/30V 8-Pin SOIC Tube


安富利:
OP Amp Dual GP ±22V/44V 8-Pin SOIC Tube


Chip1Stop:
Standard Linear AmplifierDual Precision Operational Amplifier OP Amp Dual GP ±22V/44V 8-Pin SOIC Tube


TME:
Operational amplifier; 1MHz; 4÷44V; Channels:2; SO8


Verical:
Op Amp Dual Low Offset Voltage Amplifier ±15V/30V 8-Pin SOIC Tube


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  LT1013DD  Operational Amplifier, Dual, 2 Amplifier, 1 MHz, 0.4 V/µs, ± 2V to ± 18V, SOIC, 8 Pins


DeviceMart:
IC OPAMP GP 1MHZ DUAL PREC 8SOIC


Win Source:
IC OPAMP GP 1MHZ 8SOIC


德州仪器TI:
Low power, 5V - 44V wide supply range, dual precision operational amplifier


LT1013DD中文资料参数规格
技术参数

工作电压 4V ~ 44V

供电电流 350 µA

电路数 2

通道数 2

针脚数 8

共模抑制比 97 dB

输入补偿漂移 500 nV/K

带宽 1 MHz

转换速率 400 mV/μs

增益频宽积 1 MHz

输入补偿电压 200 µV

输入偏置电流 15 nA

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

增益带宽 1 MHz

共模抑制比Min 97 dB

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

LT1013DD引脚图与封装图
LT1013DD引脚图
LT1013DD封装图
LT1013DD封装焊盘图
在线购买LT1013DD
型号: LT1013DD
制造商: TI 德州仪器
描述:TEXAS INSTRUMENTS  LT1013DD  双运算放大器
替代型号LT1013DD
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

LT1013DD

TI 德州仪器

当前型号

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LT1013DDR

德州仪器

完全替代

LT1013DD和LT1013DDR的区别

LT1013DDG4

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完全替代

LT1013DD和LT1013DDG4的区别

LT1013DID

德州仪器

类似代替

LT1013DD和LT1013DID的区别

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