LND150N3-G参数规格_中文资料_数据手册PDF

LND150N3-G概述

Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3Pin TO-92

Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag

Verical:
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MASTER:
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92

Online Components:
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Electro Sonic:
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92

LND150N3-G中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 1.00 kΩ

极性 N-Channel

耗散功率 0.74 W

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 30.0 mA

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

宽度 4.19 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

HTS代码 8541900000

数据手册

在线购买LND150N3-G

型号： LND150N3-G

制造商： Supertex 超科

描述：Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3Pin TO-92

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