LF411CDR

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LF411CDR概述

JFET 输入运算放大器,LF347 - LF444 系列### 运算放大器,Texas Instruments

JFET 输入,LF347 - LF444 系列


得捷:
IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC


立创商城:
LF411CDR


德州仪器TI:
Single, 36-V, 3-MHz, high slew rate 13-V/µs, 2-mV offset voltage, JFET-input op amp


欧时:
Texas Instruments 运算放大器 LF411CDR, 3MHz增益带宽积, 8引脚 SOIC封装


艾睿:
Op Amp Single High Speed Amplifier ±18V 8-Pin SOIC T/R


安富利:
OP Amp Single GP ±18V 8-Pin SOIC T/R


Chip1Stop:
Standard Linear AmplifierPrecision JFET-input Operational Amplifier OP Amp Single GP ±18V 8-Pin SOIC T/R


Verical:
Op Amp Single High Speed Amplifier ±18V 8-Pin SOIC T/R


Newark:
Operational Amplifier, Single, 1 Amplifier, 3 MHz, 13 V/µs, ± 3.5V to ± 18V, SOIC, 8 Pins


力源芯城:
精密JFET输入运放


Win Source:
IC OPAMP JFET 3MHZ 8SOIC


LF411CDR中文资料参数规格
技术参数

供电电流 2 mA

电路数 1

通道数 1

共模抑制比 70 dB

输入补偿漂移 10.0 µV/K

带宽 3 MHz

转换速率 15.0 V/μs

增益频宽积 3 MHz

输入补偿电压 800 µV

输入偏置电流 50 pA

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

增益带宽 3 MHz

共模抑制比Min 70 dB

电源电压Max 36 V

电源电压Min 7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

LF411CDR引脚图与封装图
LF411CDR引脚图
LF411CDR封装图
LF411CDR封装焊盘图
在线购买LF411CDR
型号: LF411CDR
制造商: TI 德州仪器
描述:JFET 输入运算放大器,LF347 - LF444 系列 ### 运算放大器,Texas Instruments
替代型号LF411CDR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

LF411CDR

TI 德州仪器

当前型号

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LF411CD

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完全替代

LF411CDR和LF411CD的区别

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