L14N2

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L14N2中文资料参数规格
技术参数

击穿电压 30.0 V

波长 880 nm

视角 80°

峰值波长 940 nm

耗散功率 600 mW

上升时间 14.0 µs

击穿电压集电极-发射极 30 V

额定功率Max 300 mW

下降时间 16 µs

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 600 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-18

外形尺寸

长度 5.31 mm

宽度 5.31 mm

高度 6.48 mm

封装 TO-18

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 125℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买L14N2
型号: L14N2
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:HERMETIC硅光电晶体管 HERMETIC SILICON PHOTOTRANSISTOR
替代型号L14N2
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

L14N2

Fairchild 飞兆/仙童

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