达林顿阵列 DARLINGTON ARRAYS
Bipolar BJT Transistor Array 8 NPN Darlington 90V 400mA 1.8W Through Hole 18-DIP
得捷:
TRANS 8NPN DARL 90V 0.4A 18DIP
艾睿:
Trans Darlington NPN 90V 0.4A 1800mW 18-Pin PDIP Tube
安富利:
Trans Darlington NPN 90V 0.4A 18-Pin PDIP Tube
Win Source:
TRANS 8NPN DARL 90V 0.4A 18DIP
额定电压DC 90.0 V
额定电流 400 mA
极性 NPN
耗散功率 1800 mW
击穿电压集电极-发射极 90 V
集电极最大允许电流 0.4A
额定功率Max 1.8 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -25 ℃
耗散功率Max 1.8 W
电源电压 5 V
安装方式 Through Hole
引脚数 18
封装 DIP-18
封装 DIP-18
工作温度 -25℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
L603C ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
SG2823J 美高森美 | 功能相似 | L603C和SG2823J的区别 |
ULQ2823A 急速微电子 | 功能相似 | L603C和ULQ2823A的区别 |
5962-8968501VA 美高森美 | 功能相似 | L603C和5962-8968501VA的区别 |