LN58

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LN58概述

砷化镓红外发光二极管 GaAs Infrared Light Emitting Diode

红外(IR) 发射器 950nm 1.5V 50mA 1.8mW/sr @ 50mA 70° 径向


得捷:
EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL


Chip1Stop:
LED IrLED 950nm 2-Pin LSTLR102-001


LN58中文资料参数规格
技术参数

额定功率 3.50 mW

正向电压 1.5 V

波长 950 nm

视角 70°

正向电流 50 mA

正向电流Max 50 mA

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 Radial

外形尺寸

封装 Radial

物理参数

工作温度 -25℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: LN58
制造商: Panasonic 松下
描述:砷化镓红外发光二极管 GaAs Infrared Light Emitting Diode

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