LN66F参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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LN66F概述

砷化镓红外发光二极管 GaAs Infrared Light Emitting Diode

Infrared IR Emitter 950nm 1.35V 50mA 13mW/sr @ 50mA 30°

得捷:
EMITTER IR 950NM 50MA

LN66F中文资料参数规格

技术参数

正向电压 1.35 V

波长 950 nm

视角 30°

正向电流 50 mA

正向电流Max 50 mA

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 -

外形尺寸

封装 -

物理参数

工作温度 -25℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买LN66F

型号： LN66F

制造商： Panasonic 松下

描述：砷化镓红外发光二极管 GaAs Infrared Light Emitting Diode