LN51L参数规格_中文资料_数据手册PDF

LN51L概述

砷化镓红外发光二极管 GaAs Infrared Light Emitting Diodes

红外（IR）发射器 950nm 1.25V 100mA 6mW/sr @ 100mA 16° TO-18-2 金属罐

得捷:
EMITTER IR 950NM 100MA TO-18

Win Source:
GaAs Infrared Light Emitting Diodes | EMITTER IR 950NM 100MA TO-18

LN51L中文资料参数规格

技术参数

额定功率 6.00 mW

正向电压 1.25 V

波长 950 nm

视角 16°

上升时间 1.00 µs

正向电流 100 mA

正向电流Max 100 mA

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-18-2

外形尺寸

封装 TO-18-2

物理参数

工作温度 -25℃ ~ 100℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： LN51L

描述：砷化镓红外发光二极管 GaAs Infrared Light Emitting Diodes