GaAlAs的红外发光二极管 GaAlAs Infrared Light Emitting Diode
红外(IR) 发射器 860nm 1.6V 100mA 12mW/sr @ 50mA 44° T-1
得捷: EMITTER IR 860NM 100MA T-1
贸泽: Infrared Emitters IR LED 860NM 22DEG T1
额定功率 190 mW
正向电压 1.6 V
波长 860 nm
视角 44°
正向电流 100 mA
正向电流Max 100 mA
安装方式 Through Hole
封装 T-1
工作温度 -25℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册