LNA2802L参数规格_中文资料_数据手册PDF

LNA2802L概述

砷化镓红外发光二极管 GaAs Infrared Light Emitting Diode

Infrared IR Emitter 940nm 1.3V 50mA 2.5mW/sr @ 50mA 40° T-1

得捷:
EMITTER IR 940NM 50MA T-1

LNA2802L中文资料参数规格

技术参数

额定功率 5.00 mW

正向电压 1.3 V

波长 940 nm

视角 40°

正向电流 50 mA

正向电流Max 50 mA

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 T-1

外形尺寸

封装 T-1

物理参数

工作温度 -25℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： LNA2802L

描述：砷化镓红外发光二极管 GaAs Infrared Light Emitting Diode